超聲波石墨烯分散設(shè)備采用氧化石墨還原法，配合超聲波振動能有效地提高氧化石墨層間距，層間距較大的氧化石墨不僅有利于其他分子、原子等插入層間形成氧化石墨插層復(fù)合材料，而且易于被剝離成單層氧化石墨，為進(jìn)一步制備單層石墨烯打下基礎(chǔ)。

　　下面要為大家介紹超聲波石墨烯分散設(shè)備常用的不同分散方法：

　　1、微機(jī)械剝離法

　　用膠帶直接將石墨烯薄片從較大的晶體上剝離下來，不斷重復(fù)這個過程。使用一種材料與膨化或引入缺陷的熱解石墨進(jìn)行摩擦，體相石墨的表面會產(chǎn)生絮片狀的晶體，絮片狀晶體中含有單層石墨烯。

　　2、晶體外延取向生長法

　　一種是通過加熱單晶6H-SiC脫除Si，從而在SiC晶體表面外延生長石墨烯。石墨烯和Si層接觸，這種石墨烯的導(dǎo)電性受到基底影響；另一種是利用金屬單晶中的微量碳成分，通過在超高真空下高溫退火，金屬內(nèi)碳元素在金屬單晶表面析出石墨烯。

　　3、化學(xué)氣相沉積法

　　將一種或多種含碳的氣態(tài)物質(zhì)（通常為低碳的有機(jī)物氣體）通入到真空反應(yīng)器中，通過高溫使含碳的氣體分解碳化（通常為低碳的有機(jī)物氣體），在基底表面生長出一種碳單質(zhì)的過程。

　　4、氧化石墨還原法

　　氧化石墨烯一般由石墨經(jīng)強(qiáng)酸氧化而得。主要有三種制備氧化石墨的方法：Brodie法，Staudenmaier法和Hummers法，其中Hummers法石墨烯分散需加入超聲波輔助。

　　希望上述內(nèi)容能夠幫助大家更好的了解本設(shè)備。